Бесплатное скачивание работ
АВТОРИЗАЦИЯ
Подробнее о работе: Вольт-емкостные характеристики гетероструктур
СОДЕРЖАНИЕ
Введение. 3
1. Термодинамическая работа выхода в полупроводниках. 4
2. Эффект поля. 4
3. Поверхностная концентрация электронов и дырок. 4
4. Барьер Шоттки. 4
4.1 Барьер Шоттки в состоянии термодинамического равновесия. 4
4.2 Зонная диаграмма барьера Шоттки при внешнем напряжении. 4
4.3 Вольт-амперная характеристика барьера Шоттки. 4
5. ОПЗ в равновесных условиях. Виды ОПЗ. 4
6. Зонные диаграммы гетеропереходов. 4
7. Емкость области пространственного заряда. 4
Заключение. 4
Список литературы.. 4
Приложение А.. 4
Приложение Б. 4
ВВЕДЕНИЕ
Физические процессы, протекающие на границе соприкасающихся тел и в их объеме, значительно отличаются друг от друга. Так на границе происходит изменение свойств материала: структуры энергетических зон, ширины запрещённой зоны, эффективных масс носителей заряда, их подвижности и т. д.
Контакт двух различных по химическому составу и физическим параметрам тел называется гетеропереходом. Главными условиями его формирования являются разные значения ширины запрещенной зоны и энергии электронного сродства контактирующих тел. Поэтому гетеропереход может быть образован между двумя твердыми телами, между твердым телом и жидкостью, а также между двумя жидкостями.
Совокупность нескольких гетеропереходов представляет собой гетероструктуру [1]. Примером может служить структура металл – диэлектрик – полупроводник (МДП-структура) на основе Ge, InSb, GaAs и других материалов, а также кремниевая МОП-структура (металл – окисел – полупроводник), являющаяся основой МОП-транзисторов [2].
В данной работе рассмотрен процесс формирования бинарных гетероструктур и их основных характеристик. Основное внимание уделено преимущественно контактам с участием полупроводниковых материалов, поскольку особенности зонных диаграмм и связанные с ними процессы делают гетеропереходы мощным средством управления потоками носителей в полупроводниках (например эффект выпрямления тока контактом «металл-полупроводник», применяемый при проектировании и изготовлении диодов и в частности – диодов Шоттки [3]). Благодаря этому электрические характеристики полупроводниковых приборов на основе гетеропереходов лучше, чем у аналогичных приборов на основе р-n-переходов [4].
Вольт-емкостные характеристики гетероструктур
ДЕТАЛИ ФАЙЛА:
Имя прикрепленного файла: vol18.ZIP
Размер файла: 684.64 Кбайт
Скачиваний: 1140 Скачиваний
Добавлено: : 04/18/2012 23:01