СОДЕРЖАНИЕ

Введение. 3

1.   Термодинамическая работа выхода в полупроводниках. 4

2.   Эффект поля. 4

3.   Поверхностная концентрация электронов и дырок. 4

4.   Барьер Шоттки. 4

4.1 Барьер Шоттки в состоянии термодинамического равновесия. 4

4.2 Зонная диаграмма барьера Шоттки при внешнем напряжении. 4

4.3 Вольт-амперная характеристика барьера Шоттки. 4

5.   ОПЗ в равновесных условиях. Виды ОПЗ. 4

6.   Зонные диаграммы гетеропереходов. 4

7.   Емкость области пространственного заряда. 4

Заключение. 4

Список литературы.. 4

Приложение А.. 4

Приложение Б. 4

ВВЕДЕНИЕ

Физические процессы, протекающие на границе соприкасающихся тел и в их объеме, значительно отличаются друг от друга. Так на границе происходит изменение свойств материала: структуры энергетических зон, ширины запрещённой зоны, эффективных масс носителей заряда, их подвижности и т. д.

Контакт двух различных по химическому составу и физическим параметрам тел называется гетеропереходом. Главными условиями его формирования являются разные значения ширины запрещенной зоны и энергии электронного сродства контактирующих тел. Поэтому гетеропереход может быть образован между двумя твердыми телами, между твердым телом и жидкостью, а также между двумя жидкостями.

Совокупность нескольких гетеропереходов представляет собой гетероструктуру [1]. Примером может служить структура металл – диэлектрик – полупроводник (МДП-структура) на основе Ge, InSb, GaAs и других материалов, а также кремниевая МОП-структура (металл – окисел – полупроводник), являющаяся основой МОП-транзисторов [2].

В данной работе рассмотрен процесс формирования бинарных гетероструктур и их основных характеристик. Основное внимание уделено преимущественно контактам с участием полупроводниковых материалов, поскольку особенности зонных диаграмм и связанные с ними процессы делают гетеропереходы мощным средством управления потоками носителей в полупроводниках (например эффект выпрямления тока контактом «металл-полупроводник», применяемый при проектировании и изготовлении диодов и в частности – диодов Шоттки [3]). Благодаря этому электрические характеристики полупроводниковых приборов на основе гетеропереходов лучше, чем у аналогичных приборов на основе р-n-переходов [4].